半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用。汽车中使用最多的半导体产品分别是传感器、MCU和功率半导体。其中MCU占比最高，其次就是功率半导体。传统汽车中，功率半导体主要应用于启动、发电和安全领域，新能源汽车普遍采用高压电路，当电池输出高压时，需要频繁进行电压变化，对电压转换电路需求提升，此外还需要大量的DC-AC逆变器、变压器、换流器等，这些对半导体器件的需求量很大。而随着车联网的到来，也为半导体开启了新的篇章。较早期的汽车，手动程度非常高，窗子都是手摇式，但随着技术的进步，汽车自动化程度越来越高，电子化程度越来越高，可想而知，智能辅助驾驶系统ADAS、AI、传感器中枢和连接，以及未来真正的自动驾驶，对于半导体器件的需求将会有多大。
众所周知，我国对第三代半导体的研究高度重视，GaN器件也早已被列入了《国家中长期科学和技术发展规划纲要》和“十二五”规划纲要所重点支持的“新一代信息功能材料及器件”和“战略型新兴产业”。其中，GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT），被普遍认为是最有前途的一种高速晶体管。当GaN HEMT应用于电路时，电路开关速度高、功率容量大、抗辐照能力强，而且制备工艺相对较简单，大大降低了系统复杂度，减小了电路的制作成本，可以很好地满足微波集成电路对于芯片具有高集成度的要求。此外，从1G到5G，5G由小于6GHz扩展到毫米波频段，为了提高速率、提升容量，移动通信永远是向着更多的频谱、更高的频段扩展。对于使用微波到毫米波频段雷达或无线通信系统，通过提高用于传输的GaN HEMT功率放大器的输出功率，无线电波能够传播的距离将增大，可扩展雷达观测范围，实现更远和更高容量的通信，已有研究表明用于雷达发射器的GaN HEMT功率放大器有望将雷达的可观测范围提高1.5倍。正是因为这么多优势，市场对高性能、使用寿命长的GaN HEMT需求也越来越多。
目前，万物互联的呼声越来越高，交通工具、新能源领域、通信设备、消费级产品等等都在不断提高电子化水平，而随着电路形式和工艺方法的多样化，半导体器件的应用将会越来越广。
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